N沟道增强型MOSFET
适用于Cass A操作的优异热稳定性
150 MHz、28 Vdc下的保证性能：输出功率=45 W，功率增益=17 dB（min）'效率=60%（min）
工业、商业和业余无线电设备中功率放大器应用的典型数据：
30 MHz、28 Vdc下的典型性能：输出功率=30 W，功率增益=20 dB（典型）（PEP），效率=50%（典型），IMD（d3）（30 W PEP）–32 dB（典型值）
金顶金属
低Crss–8 pF@VDS=28 V
以30:1 VSWR在所有相位角下100%测试负载失配
促进手动增益控制、ALC和调制技术
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20221029/20221029163617811781.pdf