- MRF148A
优点
高级高阶IMD-IMD（d11）（30W PEP）：–60 dB（典型值），IMD（d 3）（30W PEP））：–35 dB（典型）
以30:1 VSWR在所有相位角进行100%负载失配测试
低反向传输电容（典型值3.0 pF）
规定的50V、30MHz特性：18dB（典型值），输出功率：30W，效率：40%（典型值）
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线性RF功率MOSFET 30W，至175MHz，50V
专为175MHz的工业、商业和业余无线电设备中的功率放大器应用而设计。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20221029/20221029231218271827.pdf
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