- MRF275G
优点
RF MOSFET线路150W、500MHz、28V
主要设计用于100-500 MHz的宽带大信号输出和驱动器级。
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N通道增强模式设备
100%测试所有相位角的负载失配,VSWR为30:1
28 V时的总体较低电容:Ciss-135 pF,Crss-17 pF,Coss-140 pF
工业和商业应用中功率放大器的典型数据:
225 MHz、28 Vdc时的典型性能:输出功率-200 W,功率增益-15 dB,效率-65%
简化的AVC、ALC和调制
400 MHz、28 Vdc时的典型性能:输出功率-150 W,功率增益-12.5 dB,效率-60%
保证性能@500 MHz,28 Vdc:输出功率-150 W,功率增益-10 dB(最小值),效率-50%(最小值)
产品规格书下载:/admin/Employee/upload/file/20221030/20221030092544594459.pdf
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