- CHA3666-FAB
- 放大器–LNA
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CHA3666-FAB是一种两级自偏置宽带单片低噪声放大器。
电路采用标准pHEMT工艺制造：0.25µm栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
建议采用无引线表面安装密封金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4V/80mA。
电路采用标准pHEMT工艺制造：0.25µm栅极长度、穿过衬底的通孔、空气桥和电子束栅极光刻。
建议采用无引线表面安装密封金属陶瓷6x6mm²封装。整体电源为4V/80mA。
电路专用于空间应用，也非常适合于广泛的微波和毫米波应用和系统。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230306/20230306105019661966.pdf
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