- CHK8101-SYC
- GaN功率晶体管
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CHK8101-SYC是一款无与伦比的封装氮化镓高电子迁移率晶体管。
它为各种射频功率应用提供通用和宽带解决方案。非常适合于空间和电信等多用途应用
CHK8101-SYC是在0.5µm栅极长度GaN on SiC HEMT工艺上开发的。它需要外部匹配电路。CHK8101-SYC采用密封陶瓷金属法兰电源组件，符合RoHs N°2011/65和REACH N°1907/2006指令。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230310/20230310111784368436.pdf
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