- CHZ180AaSEB
- 内部匹配GAN功率晶体管
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CHZ180AaSEB是一种输入匹配和输出预匹配封装的氮化镓高电子迁移率晶体管。
为L波段的各种射频功率应用提供宽带解决方案。
非常适合脉冲雷达应用。CHZ180AaSEB建议采用0.5µm栅极长度的GaN HEMT工艺。它基于准MMIC技术。
采用密封法兰陶瓷金属功率封装，提供低寄生和低热阻。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230310/20230310112997829782.pdf
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