- EC2612-99F
- 晶体管
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EC2612-99F基于0.15µm栅极伪晶高电子迁移率晶体管（0.15µm pHEMT）技术。
栅极宽度为120µm，0.15µm T形铝栅极具有低电阻和优异的可靠性。
该器件显示出非常高的跨导，这导致非常高的频率和低噪声性能。
栅极宽度为120µm，0.15µm T形铝栅极具有低电阻和优异的可靠性。
该器件显示出非常高的跨导，这导致非常高的频率和低噪声性能。
以芯片形式提供，源通过孔连接。仅需要栅极线和漏极线边界。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230312/20230312002861796179.pdf
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