QPD0010 GaN射频晶体管是非对称双路径离散碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用DFN封装。这些射频晶体管在各路径中是单级放大器晶体管，能够以Doherty配置提供15W输出功率。QPD0010晶体管的工作频率范围为2.5GHz至2.7GHz，在3.5GHz时具有15dB最大Doherty增益。典型应用包括WCDMA/LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G大规模MIMO和非对称Doherty应用。

• 最高Doherty漏极效率：55%（3.5GHz时） 
• 最大Doherty增益：15dB（3.5GHz时）
• 7mm x 6.5mm DFN封装