T2G6003028-FL晶体管是15W至30W（P3dB）的碳化硅（SiC）上的分立氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），工作频率为直流至3.5GHz和6.0GHz。这些器件采用Qorvo经验证的TQGaN25工艺构建，该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。这种优化可以在更少的放大器线路和更低的热管理成本方面潜在地降低系统成本。

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