QPD1029L GaN射频内部匹配FET (IMFET) 晶体管是一款1500W (P3dB) 分立式碳化硅基氮化镓高电子迁移率晶体管 (HEMT)。该射频IMFET的工作频率范围为1.2GHz至1.4GHz。QPD1029L晶体管可轻松实现与外部电路板匹配，并且节省电路板空间。该晶体管是符合RoHS指令的器件。QPD1029L IMFET晶体管器件采用行业标准气腔封装，非常适合用于雷达。

特点：

• 典型PAE3dB：75%（1.3GHz负载拉力时）
• 工作电压：65V
• 连续波 (CW) 和脉冲功能