T2G6003028-FS晶体管是15W至30W（P3dB）的碳化硅（SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT）上的分立氮化镓（GaN），工作频率为直流至3.5GHz和6.0GHz。这些器件采用Qorvo经验证的TQGaN25工艺构建，该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏置工作条件下优化功率和效率。

产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230423/20230423224378067806.pdf