QPD1025L射频输入匹配晶体管是一款分立式碳化硅基氮化镓 (GaN on SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率范围为1.0GHz至1.1GHz。这些晶体管具有22.5dB线性增益、1800W输出功率、65V工作电压以及脉冲和连续波功能。QPD1025L晶体管采用工业标准气腔型封装，非常适合用于IFF应答器、航空电子设备和测试仪器仪表。

特点：

• 工作频率范围：1.0GHz至1.1GHz
• 1660W输出功率 (P3dB)1
• 线性增益：22.9dB
• 78.5%典型PAE3dB1
• 工作电压：65V
• 连续波和脉冲功能