- TGF2023-2-02
- 射频晶体管
询盘咨询
TGF2023-2-02 GaN HEMT晶体管是在DC-18GHz下工作的碳化硅（SiC）高电子迁移率晶体管（HEMT）上的1.25至20mm的离散氮化镓（GaN）。每个器件都是使用Qorvo经过验证的0.25um GaN生产工艺设计的。该工艺具有先进的场板技术，可在高漏极偏置操作条件下优化微波功率和效率。
这些设备通常提供38-50.5dBm之间的饱和输出功率，功率增益从17.5dB到3GHz下的21db。最大功率增加效率在52%和78.3%之间，这使得这些设备适合于高效应用。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230424/20230424090224382438.pdf
相关产品
上一个：QPD1016
下一个：QPD1015
