QPD1013 GaN射频晶体管是一款大功率、宽带宽的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率为直流至2.7GHz。该单级功率晶体管是一款150W分立式SiC上GaN器件，性能出色。QPD1013射频晶体管采用超模压塑料封装，适用于军用雷达、地面移动和军用无线电通信等各种应用。

特点：

• 频率：直流至2.7GHz
• 低热阻封装
• 连续波和脉冲功能
• 产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230424/2023042411350468468.pdf