TGF3021-SM是一种30W（P3dB）宽带、不匹配的SiC上离散GaN HEMT，工作频率从DC到4GHz，供电轨为32V。该设备采用行业标准的3x4mm QFN封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

特点：

频率范围：30 MHz-4.0 GHz
输出功率（P3dB）：2.0 GHz时为36 W
线性增益：2.0 GHz时通常为19.3 dB
典型的PAE3dB:2.0 GHz时为72.7%
工作电压：32 V
低热阻封装
具有连续波和脉冲能力