QPD1025是一种1800W（P3dB）的分立GaN on SiC HEMT，其工作频率为.96至1.215GHz。封装内的输入预匹配使外部电路板匹配变得容易，并节省了电路板空间。该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合敌我识别、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持连续波和脉冲操作。

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