- QPD1020SR
- 半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
询盘咨询
封装：DFN-8
Id-连续漏极电流:100 mA
Vds-漏源极击穿电压:50 V
工作频率:2.7 GHz to 3.5 GHz
增益:18.4 dB
输出功率:31 W
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 85 C
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230429/20230429155878687868.pdf
相关产品
上一个：TGF2929-FL
下一个：TGC4510-SM
