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TGF2023-2-05
分立式晶体管
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TGF2023-2-05是一种分立的5.0mm GaN on SiC HEMT,其工作频率为直流至18GHz。

TGF2023-2-05通常在3GHz下提供43dBm的饱和输出功率,功率增益为18dB。最大功率添加效率为78.3%,这使得TGF2023-2-05适用于高效应用

特点:

频率范围:直流至18 GHz
3 GHz时43 dBm标称Psat
最大PAE为78.3%
18 dB标称功率增益
偏置:VD=12至32 V,IDQ=100-500 mA
芯片尺寸:0.82 x 1.44 x 0.10毫米

应用:

宽带无线
军事

空间

产品规格书下载:/admin/Employee/upload/file/20230505/20230505101140394039.pdf


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