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QPD0010
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      QPD0010是DFN封装中的非对称双路径离散GaN on SiC HEMT,工作频率为2.5至2.7GHz。在每条路径中都有一个单级放大器晶体管。QPD0010可以在Doherty配置中提供15W的平均功率。


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