QPD1019是一种500W（P3dB）内部匹配的SiC HEMT上的离散GaN，其工作频率为2.9至3.3 GHz，电源轨为50V。该器件是GaN IMFET，在行业标准的气腔封装中与50欧姆完全匹配，非常适合军用雷达。

产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230511/20230511144710261026.pdf