TGF2979-SM是一种25W（P3dB）宽带、不匹配的SiC上离散GaN HEMT，工作频率从DC到12GHz，供电轨为32V。该设备采用行业标准的4 x 3 mm QFN封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

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