QPD1016L是一种500 W（P3dB）预匹配的SiC上的离散GaN HEMT，其工作电压为直流至1.7 GHz和50 V。该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合敌我识别、航空电子、军用和民用雷达以及测试仪器。该设备可以支持脉冲和线性操作。

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