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QPD1008L
 分立式晶体管
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      QPD1008L是一种125W(P3dB)宽带非匹配的SiC上离散GaN HEMT,工作频率从DC到3.2 GHz,电源轨为50V。该设备采用行业标准的气腔封装,非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲、CW和线性操作。

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