QPD1008L是一种125W（P3dB）宽带非匹配的SiC上离散GaN HEMT，工作频率从DC到3.2 GHz，电源轨为50V。该设备采用行业标准的气腔封装，非常适合军用和民用雷达、陆地移动和军用无线电通信、航空电子设备和测试仪器。该设备可以支持脉冲、CW和线性操作。

产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230521/20230521235415331533.pdf