- CHK8101a99F
- GaN功率晶体管
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CHK8101a99F是一种20W氮化镓高电子迁移率晶体管。
该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供了通用宽带解决方案。
它是在SiC衬底上的0.5µm栅极长度GaN HEMT技术上开发的，符合法规，特别是RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令
该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供了通用宽带解决方案。
它是在SiC衬底上的0.5µm栅极长度GaN HEMT技术上开发的，符合法规，特别是RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006指令
以裸管芯形式提出，需要外部匹配电路。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230310/20230310112130883088.pdf
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