- CHK9013-99F
- GaN功率晶体管
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CHK9013-99F是85W氮化镓高电子迁移率晶体管。
该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供了通用宽带解决方案。
电路在SiC衬底上的0.25µm栅极长度GaN HEMT技术上制造。
该产品为雷达和电信等各种射频功率应用提供了通用宽带解决方案。
电路在SiC衬底上的0.25µm栅极长度GaN HEMT技术上制造。
以裸管芯形式提出，需要外部匹配电路。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230310/20230310112414251425.pdf
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