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QPD1026L
射频结栅场效应晶体管
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       QPD1026L是一种1300W(P3dB)的分立GaN on SiC HEMT,工作频率为420至450MHz。封装内的输入预匹配使外部电路板匹配变得容易,并节省了电路板空间。该设备采用行业标准的气腔封装,非常适合业余无线电、公共安全无线电和无线电定位服务。该设备可以支持连续波和脉冲操作。

产品规格书下载:/admin/Employee/upload/file/20230506/20230506110732673267.pdf

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