- QPD1018
- 分立式晶体管
询盘咨询
QPD1018是一种500W（P3dB）内部匹配的SiC HEMT上的离散GaN，其工作频率为2.7至3.1GHz，电源轨为50V。该器件是GaN IMFET，在行业标准的气腔封装中与50欧姆完全匹配，非常适合军用雷达。
产品规格书下载：/admin/Employee/upload/file/20230511/20230511144138143814.pdf
相关产品
上一个：QPA2212D
下一个：QPD1019
